EMMI光子微漏电定位分析系统设备是集成电路失效分析中的重要分析工具，漏电定位对于失效分析者而言是必备工具。在集成电路行业中，对集成电路可靠性要求很高。芯片在工作中，微漏电现象较为普遍，微弱漏电在极端情况下往往会无限放大，造成芯片甚至整个控制系统失效，所以芯片微漏电现象是对于集成电路失效分析中极端重要的一环。
针对宽禁带半导体（如GaN与SiC）器件失效分析，森东宝科技有限公司推出了400nm-1000nm响应波长的EMMI测试系统，能够对GaN HEMT，GaN LEDs，SiC PDs、SiC pn junction, Si 基MOSFET以及IC芯片等芯片的微安级漏电位置进行精确定位。该系统具有小于1um的空间分辨率，能够对极微弱的光进行成像，已经在重庆邮电大学，广东金鉴第三方实验室，江苏省产业研究院，普瑞（无锡）研发中心和江南大学等科研院所推广适用，为几十家半导体公司提供了测试服务。
系统技术参数：
1. 最高量子效率：82%@560 nm
2. 有效分辨率：2048*2048
3. 有效面积：13.312mm*13.312 mm
4. 制冷温度：10 oC
5. 暗电流： 0.6 electrons/pixel/s
6. 帧速率： 30 Hz
7. 波长范围：400nm -1100 nm
8. 界面：USB 3.0
以下是测试案例：
GaN PDs
GaN LEDs
Si MOSFETs
Si FRD
Si IGBT
